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between Si3N4 and SiO2 fused silica 技术参数:Si3N4薄膜:镀膜方法:low stress LPCVD method低压力化学气相沉积法膜层厚度:1.3um
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] OtherB = 端口连接[3] ?” Compression FittingC = OIC透镜[0] Fused Silica [1] Sapphire [2] BK7D = OIC窗片[0
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/FS50Fused Silica50 kHz170nm - 2μm170nm - 1μm16mmI/FS20Fused Silica20 KHz170nm - 2μm170nm - 1μm22mmI
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